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反射相位緩速器

簡要描述：反射相位緩速器
基片的選擇取決于激光器運行的功率水平。可提供替代基底，包括水冷銅。也可提供第八波和第十六波RPR設計，以及用于10.6微米以外的峰值波長的設計。

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組件類別	其他	應用領域	醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子/電池,綜合

反射相位緩速器

金屬切割和其他關鍵的激光操作對切口寬度或橫截面的任何變化都很敏感。切口的質(zhì)量取決于相對于切割方向的偏振方向（圖1）。

目前的理論表明，聚焦光束以正常入射角撞擊工件的假設僅在切割開始時是正確的。一旦切口形成，光束就會以某個大的入射角θ遇到金屬，如圖2所示。相對于這樣的表面，s極化的光比p極化的光反射得更多，導致了切割質(zhì)量的差異。

將四分之一波（90°）反射式相位延遲器（RPR）引入光束傳輸路徑，通過將線性極化轉(zhuǎn)換為圓形極化來消除切口變化。圓極化由任何光束方向的等量s極化和p極化組成；因此，所有軸都遇到相同的極化成分，并且無論切割方向如何，材料都被均勻地去除。

線性偏振光束的方向是使偏振平面與入射平面成45°，并在與法線成45°的位置撞擊RPR（圖3）。反射的光束是圓偏振的。

基片的選擇取決于激光器運行的功率水平。可提供替代基底，包括水冷銅。也可提供第八波和第十六波RPR設計，以及用于10.6微米以外的峰值波長的設計。

規(guī)格

零件信息

部件號	說明	直徑(英寸)	直徑(毫米)	邊緣厚度(英寸)	邊緣厚度(毫米)	相移@ 10.6µm(度數(shù))
498237	Si	1.5	38.1	0.16	4.06	90+/-6
893833	Si	2.0	50.8	0.20	5.08	90+/-2
582132	Si	2.0	50.8	0.20	5.08	90+/-2
592353	Si	2.0	50.8	0.375	9.53	90+/-6
102719	Si	2.0	50.8	0.170	5	90+/-2
969917	Si	2.0	50.8	0.40	10.16	90+/-6
772930	Si	2.677	68	0.80	20.32	90+/-1
697768	Si	3.0	76.2	0.236	6	90+/-6
224094	Si	3.0	76.2	0.25	6.35	90+/-6
390686	Cu	1.5	38.1	0.25	6.35	90+/-6
666269	Cu	1.969	50	0.394	10	90+/-6
832944	Cu	2.25	57.15	0.394	10	90+/-2
488199	Cu-WC*	2.25	57.15	1.25	31.75	90+/-6
800102	Cu	2.362	60	0.394	10	90+/-2
634413	Cu	2.362	60	0.591	15	90+/-2
748680	Cu	3.0	76.2	0.50	12.7	90+/-6
744069	Cu	3.0	76.2	0.591	15	90+/-2
*Cu-WC：水冷銅。請聯(lián)系我們了解具體規(guī)格。

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